随着当今大数据技术的发展Q新型信息存储技术越发成Zh们关注的焦点Q其中以畴壁ؓ信息载体的磁存储技术作为实C息高速存储的新途径之一Q尤其吸引研Ih员的兴趣。目前，探烦场、自旋极化电、自旋L以及温度梯度{物理场对磁畴壁驱动作用的研I已在理Z实验斚w取得重要q展Q然而对畴壁结构、磁畴壁电阻和畴壁动力学的深入研I尚不全面，特别是如何以更加能效的方式实现磁畴壁写入的精操控尚需q一步研IӞq对信息的d速度与稳定性v着臛_重要的作用?/p>
q日Q中国计量大学信息工E学院周淼教授Nl基于多铁性异质结耗能低、响应快、便于集成等优点Q运用电压脉冲而非甉|实现了应变介导写入磁畴壁信息Q不仅直接有效地避免了电驱动的热效应给电子器g带来的损害作用，而且压电应变可以实现U米范围内的局域作用，可以为磁畴壁器g的进一步微型化设计和存储密度增强提供理论基。本研究通过微磁理论模拟无外场施加下电压脉冲引L压电应变q箋向磁性纳cx带中写入畴壁的q程Q描qC应变介导的多铁异质结?80＂化转换的机Ӟ研究了椭圆Ş性薄膜中化{与磁畴壁写入的作用关p，实现了电压脉冲诱导的q箋畴壁注入。利用能效的外加电场调控畴壁动力学Qؓ信息d或逻辑控制提供了新途径Q在未来信息存储领域h潜在的应用h倹{?/p>
该成果已在国际知名期刊NanoscaleQIF=6.94Q中U院一区）上在U发表，题ؓ“Voltage control of magnetic domain wall injection into strain-mediated multiferroic heterostructures”，q被选ؓ期刊当期底。中国计量大学信息工E学院浙江省늣波信息技术与计量重点实验室为本论文W一作者和通讯作者单位，信息学院士生施胜宾和周淼教授为共同第一作者，郁国良博士和朱明敏博士ؓ共同通讯作者。相兛_作得到国家自然科学基金（11902316Q?1972333Q?1902300Q，江省自然科学基金（LZ19A020001QLQ19F010005Q和江清华柔性电子技术研I开攑֟金（2019KF1001Q的资助?/p>
文章链接Q?a target="_self">https://doi.org/10.1039/D0NR02595J
